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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5799 个

  • MOS管结构原理图解分析,就是这么简单-KIA MOS管

    MOS管结构原理:MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的sour...

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    www.kiaic.com/article/detail/2443.html         2020-11-11

  • 一文详解MOS管示意图，构造知识要点-KIA MOS管

    MOS管示意图，构造解析:下图MOS管工作原理示意图为N沟道增强型MOS管工作原理示意图，其电路符号如图所示。它是用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在衬底上扩散两个高掺杂浓度的N型区(用N+表示)，并在此N型区上引出两个欧姆接触电极，分别称为源...

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    www.kiaic.com/article/detail/2441.html         2020-11-10

  • 防倒灌电路设计-MOS管防倒灌电路分享|一目了然-KIA MOS管

    MOS管防倒灌电路设计如下图所示:在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口，为了防止充电器拔掉时,电池电压出现在充电接口。(Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路)注意Q3的DS反向接于电路,这样做是防止MOS的体=极管对电路产生的影响(如果Q3按常...

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    www.kiaic.com/article/detail/2442.html         2020-11-10

  • 什么是步进电机-步进电机工作原理是什么及驱动方法-KIA MOS管

    步进电机又称脉冲电机，它是一种感应电机，涉及到机械、电机、电子及计算机等许多专业知识。步进电机作为执行元件，是机电一体化的关键产品之一，广泛应用在各种自动化控制系统中。随着微电子和计算机技术的发展，步进电机的需求量与日俱增，在各个国民经济领域...

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    www.kiaic.com/article/detail/574.html         2020-11-10

  • 推挽式开关电源原理

    在双激式开关电源中，推挽式开关电源是最常用的开关电源。因为推挽式开关电源中的两个操控开关管K1 和轮流替换作业，其输出电压波形十分对称，并且开关电源在全部工 作周期以内都向负载供给功率输出 ，所以其输出电流的刹那间响应速度很高 ，电压输出特性也很好...

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    www.kiaic.com/article/detail/207.html         2020-11-10

  • HID安定器分类及注意事项-汽车HID安定器MOS管应用方案详解-KIA MOS管

    汽车HID安定器 MOS管，防反接保护电路:KIA50N03、KIA50N06 PWM驱动：KIA75NF75、KIA3510A、KIA40N20A 全桥电路:KIA830S、KIA830H、KIA840S、KIA840H 续流电路：KIA08TB70 。汽车HID安定器全称High Intensity Discharge就是我们日常口中常常提及的HID，高压...

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    www.kiaic.com/article/detail/1093.html         2020-11-10

  • 放大器电路在设计过程中常见问题分析及如何解决相关问题-KIA MOS管

    放大器电路，或称放大电路，能增加信号的输出功率。它透过电源取得能量来源，以控制输出信号的波形与输入信号一致，但具有较大的振幅。依此来讲，放大器电路亦可视为可调节的输出电源，用来获得比输入信号更强的输出信号。放大器的四种基本类型是电压放大器、电...

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    www.kiaic.com/article/detail/1237.html         2020-11-10

  • 1500V2.5A仙童NDUL03N150C|规格书参数-KIA MOS管

    1500V2.5A仙童NDUL03N150C|规格书参数-KIA MOS管,1500V2.5A仙童NDUL03N150C,仙童NDUL03N150C,n沟道功率MOSFET,1500V2.5A,10.5Ω，TO-3PF-3L,1500V2.5A仙童NDUL03N150C-特性：导通电阻RDS(on)=8Ω(typ.)输入电容Ciss=650pF(typ.)10V 驱动

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    www.kiaic.com/article/detail/2439.html         2020-11-09

  • 解析短沟道效应-MOSFET的短沟道效应,必看-KIA MOS管

    MOSFET的短沟道效应:当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应，它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。当沟道区的掺杂浓度分布一定时,如果沟道长度缩短,源结与漏结...

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    www.kiaic.com/article/detail/2436.html         2020-11-06

  • CMOS知识分享-解析CMOS电路中的阱-KIA MOS管

    CMOS电路中的阱:在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。已有的多种CMOS电路阱的类别,有p阱、n阱、双阱及倒转阱等(图4-3-3)。CMOS电路中的阱-p阱:在a型衬底上,以离子注入掺杂使阱区域有足够的浓度,以补偿衬底上的n型掺杂并形成一个p阱区。...

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    www.kiaic.com/article/detail/2435.html         2020-11-06

  • 详解MOS晶体管的最高频率知识分析-KIA MOS管

    MOS晶体管的最高频率:MOS晶体管在工作频率增高到一定值以后,它的特性就将随着频率的增高而变坏。MOS管的最高频率,大家知道,MOS晶体管的沟道区隔着绝缘的氧化层,在这一氧化层上面覆盖者金属栅电极,于是就形成了以氧化物为介质的平板电容器，称为栅电容,用符号Cg...

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    www.kiaic.com/article/detail/2434.html         2020-11-06

  • 结型场效应管基本放大器工作原理分析-KIA MOS管

    结型场效应管基本放大器工作原理:我们知道,根据导电沟道的不同,结型场效应管有N沟道和P沟道之分。因此，结型场效应管基本放大器也分为N沟道结型场效应管基本放大器和P沟道结型场效应管基本放大器两种，它们的工作原理基本相似,下面以N沟道结型场效应管组成的基...

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    www.kiaic.com/article/detail/2433.html         2020-11-05

  • MOS干货科普|硅栅MOS结构详细解析-KIA MOS管

    硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅极。例如上世纪60年代中期第一只MOS-IC即为p沟增强型A1栅器件。但随着MOS-IC规模的增大、线条的变细性能要求的提高,Al栅MOS技术逐渐被硅栅MOS所代替。

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    www.kiaic.com/article/detail/2432.html         2020-11-05

  • MOS管知识-MOS管电容特性解析-KIA MOS管

    MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关，所以功率管的开关速度对温度不敏感(除阈值电压受温度影响产生的次生效应外)

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    www.kiaic.com/article/detail/2431.html         2020-11-05

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